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元件参数资料
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参数目录40446
> IXTU01N80 MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
型号:
IXTU01N80
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTU01N80 PDF
标准包装
50
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
50 欧姆 @ 100mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
60pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装
TO-251
包装
管件
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